| 企业等级： | 普通会员 |
| 经营模式： | 生产加工 |
| 所在地区： | 陕西 西安 |
| 联系卖家： | 李想 先生 |
| 手机号码： | 15249202572 |
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| 公司地址： | 陕西省西安市雁塔区瞪羚路现代企业中心西区B1 |
IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。
EN-3020B 半导体参数测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。系统标准功率源为2000V/100A。
2、技术条件 2.1、环境要求Ø 环境温度湿度：室温～40℃，小于70%；
Ø 大气压力：86Kpa～ 106Kpa
Ø 电网电压：AC220V±10%无严重谐波
Ø 电网频率：50Hz±1Hz
2.2、主要技术指标 2.2.1、栅极-发射极电压VGES及漏电流IGES电压VGES：0-40V 误差±2% 分辨率0.1V
电流IGES：0.1-10µA 误差±2% 分辨率0.01µA
集电极电压：VCE=0V
2.2.2、集电极-发射极电压VCES及电流ICES集电极电压VCES：100-2000V 误差±2% 分辨率1V
集电极电流ICES：100µA-5mA 误差±2% 分辨率10µA
栅极电压VGE=0V
2.2.3、栅极-发射极阀值电压VGE(th)VGE(th)：1-10V 误差±2% 分辨率0.1V
显示栅极-发射极阈值电压VGE(th)
2.2.4、集电极发射极饱和电压VCE(sat)VCE（sat）：0.2-5V 误差±2% 分辨率10mV
集电极电流ICE：10-100A 误差±2% 分辨率1A
2.2.5、二极管压降测试VFVF：0-5V 误差±3% 分辨率10mV
栅极电压VGE：0V
电流IF：10-100A 误差±2% 分辨率1A
2.2.6、二极管反向击穿电压BVR电压设定：100V-2000V 误差±2% 分辨率1V
击穿电流设定：0.1-10mA 误差±2% 分辨率10uA
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